| アイテムタイプ |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2019-01-18 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Gate-tuned negative differential resistance observed at room temperature in an array of gold nanoparticles |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題 |
Single-electron device |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題 |
Negative differential resistance |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題 |
Gold nanoparticles |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
Huong, Tran Thi Thu
Matsumoto, Kazuhiko
Moriya, Masataka
Shimada, Hiroshi
Kimura, Yasuo
Hirano-Iwata, Ayumi
Mizugaki, Yoshinao
|
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
We fabricated a single-electron (SE) device using gold nanoparticles (Au NPs). Drain, source, and gate electrodes on a SiO2/Si substrate were formed using electron beam lithography (EBL) and thermal evaporation of Au. Subsequently, solutions of 3-nm-diameter and 5-nm-diameter Au NPs were dropped on the device to make current paths through Au NPs among the electrodes. Measurements of the device exhibited negative differential resistance (NDR) in the current-voltage characteristics between the drain and source electrodes at room temperature (298 K). The NDR behavior was tuned by applying a gate voltage. |
| 書誌情報 |
en : Applied Physics A
巻 123,
号 4,
p. 123:268,
発行日 2017-03-22
|
| 出版者 |
|
|
出版者 |
Springer Nature |
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
0947-8396 |
| DOI |
|
|
関連タイプ |
isVersionOf |
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
10.1007/s00339-017-0891-8 |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
©2017 Springer Nature |
| 関連サイト |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
https://doi.org/10.1007/s00339-017-0891-8 |
| 著者版フラグ |
|
|
出版タイプ |
AM |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
GateTunedNegative (562.1 kB)
