WEKO3
アイテム
Xe多価イオンによるH終端Si表面とH2O吸着Si表面のH+スパッタリング
https://doi.org/10.18952/00009955
https://doi.org/10.18952/000099550fe326b9-7edb-4e56-a488-c4f90969e2cd
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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202106301_Thesis.pdf (7.6 MB)
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2021-09-13 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Xe多価イオンによるH終端Si表面とH2O吸着Si表面のH+スパッタリング | |||||
言語 | ja | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | H+ sputtering from H-terminated and H2O adsorbed Si surfaces irradiated with highly charged Xe ions | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.18952/00009955 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
著者 |
髙橋, 学士
× 髙橋, 学士 |
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学位名 | ||||||
学位名 | 博士(理学) | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
学位授与機関識別子 | 12612 | |||||
学位授与機関名 | 電気通信大学 | |||||
学位授与年度 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 2021 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2021-06-30 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 乙第144号 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
専攻 | ||||||
値 | 情報理工学研究科 | |||||
専攻 | ||||||
値 | 基盤理工学専攻 | |||||
学術成果タイプ | ||||||
値 | 博士学位論文 |