{"created":"2023-05-15T08:43:29.143703+00:00","id":8462,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"00298876-0745-4028-91bc-9f9edc013da2"},"_deposit":{"created_by":13,"id":"8462","owners":[13],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"8462"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:uec.repo.nii.ac.jp:00008462","sets":["34:173"]},"author_link":["23002"],"control_number":"8462","item_10006_date_granted_11":{"attribute_name":"学位授与年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_dategranted":"2017-03-24"}]},"item_10006_degree_grantor_9":{"attribute_name":"学位授与機関","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreegrantor":[{"subitem_degreegrantor_name":"電気通信大学"}]}]},"item_10006_degree_name_8":{"attribute_name":"学位名","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreename":"修士"}]},"item_10006_description_10":{"attribute_name":"学位授与年度","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"2016","subitem_description_type":"Other"}]},"item_10006_description_7":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"現在、コンピュータ等で使われているDRAMと呼ばれるメモリは、停電などで電力の供給がなくなった場合、コンピュータに保存していた情報が消えてしまう問題がある。これを改善するために現在MRAM等の不揮発性メモリの研究・開発が行われている。MRAMの記憶容量を上げるための一つの手法として、スカーミオンと呼ばれる微細な磁化構造を用いる手法が提案されている。しかしながら現在、MRAMに用いる際のスカーミオンの安定条件やその時の記録密度、低消費電力で動作が可能な機構等の調査が必要となっている。本研究ではシミュレーションを用い、スカーミオンMRAMに適した条件や、その時のスカーミオンのサイズを調査した。また低電力を実現するための構造を提案し、従来法に対する有効性を調査した。\n　まず磁気異方性定数(Ku)とDMI定数の組み合わせより、スカーミオンが出現する条件を調べたところ、スカーミオンはKu＝4.4~6.0Merg/cm3の範囲で出現することが分かった。次に得られた範囲において、スカーミオンが存在・消滅時のエネルギーが均衡する条件を調べたところ、両者のエネルギー差がなくなるスカーミオンは、その直径が100nm程度である場合であることが分かった。また安定してスカーミオンが利用可能な条件を調べるためにスカーミオン消滅時のエネルギーバリアを調べたところ、情報の保持が10年間可能となるエネルギーバリアを有するスカーミオンは、その直径が80~100nm程度である場合であることが分かった。これらの結果より、今回想定した材料定数の条件では、メモリとして利用可能なスカーミオンの直径は100nm程度であることが分かった。\n　最後にスカーミオンMRAMの動作電流を低減するために、新たに三角形スカーミオンMRAMを提案し、既存のナノピラー型のスカーミオンMRAM方式と消費電力の比較を行った。ナノピラー型のスカーミオンMRAM方式では、電極直径の増加と共にスカーミオン生成に必要な電流値が増加し、スカーミオン生成に必要な電流値は1~10mA程度であることが分かった。一方、三角形スカーミオンMRAM方式では電流値が大きいほどスカーミオンの移動速度が速くなり、スカーミオンの移動に必要な電流値は0.2~1.0μA程度であることが分かった。これより、三角形方式はナノピラー方式よりも1000分の1以下程度の電流で動作可能であり、省電力化に有効な手法であることが分かった。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10006_text_22":{"attribute_name":"専攻","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"情報理工学研究科"},{"subitem_text_value":"情報・通信工学専攻"}]},"item_10006_version_type_18":{"attribute_name":"著者版フラグ","attribute_value_mlt":[{"subitem_version_resource":"http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa","subitem_version_type":"AM"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"穗積, 繁","creatorNameLang":"ja"},{"creatorName":"ホヅミ, シゲル","creatorNameLang":"ja-Kana"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_files":{"attribute_name":"ファイル情報","attribute_type":"file","attribute_value_mlt":[{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2017-03-08"}],"displaytype":"detail","filename":"1531092.pdf","filesize":[{"value":"7.3 MB"}],"format":"application/pdf","licensetype":"license_note","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"1531092","url":"https://uec.repo.nii.ac.jp/record/8462/files/1531092.pdf"},"version_id":"9b1d96f2-0937-4b85-8c16-836ffb9626cb"}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"thesis","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec"}]},"item_title":"スカーミオンMRAMのシミュレーション解析","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"スカーミオンMRAMのシミュレーション解析","subitem_title_language":"ja"}]},"item_type_id":"10006","owner":"13","path":["173"],"pubdate":{"attribute_name":"PubDate","attribute_value":"2017-03-08"},"publish_date":"2017-03-08","publish_status":"0","recid":"8462","relation_version_is_last":true,"title":["スカーミオンMRAMのシミュレーション解析"],"weko_creator_id":"13","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-09-12T05:38:15.141349+00:00"}