@misc{oai:uec.repo.nii.ac.jp:00004879,
 author = {袴田, 大貴},
 month = {2016-09-21},
 note = {2013, ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)では、絶縁体であるダイヤモンドに不純物を高濃度にドープさせることで超伝導が発現する。BDDの超伝導は、高濃度ホウ素ドープにより母物質であるダイヤモンドの価電子帯の上端がフェルミ面を超えて金属的になることが重要であると考えられる。[1] ホウ素以外の不純物に対して超伝導は確認されていないが、ホウ素と同じⅢ族元素であるアルミニウムを不純物としたダイヤモンドが高濃度(NAl=1.56at%)で金属的になり、超伝導が発現する可能性が理論的に示唆され，注目されている[2]。 　我々は、ホウ素以外の不純物ドープダイヤモンドの超伝導発現の可能性を探る目的で、金属絶縁体転移が予想されているアルミニウムを不純物としたダイヤモンド(ADD)の作製を行っており、光電子分光および蛍光X線分析からフェルミ面近傍の電子状態の観測を行い、フェルミ準位近傍にAl 3pの電子状態が観測され、金属的である可能性を示唆した（Fig.1）。Fig.1の数値は、EF以上またはEF以下の状態を示す。 また、ADDの電気抵抗の温度依存性について観測した（Fig.2）。温度変化の様子は半導体的であるが、その活性化エネルギーは非常に小さく、フェルミ面近傍のAl-3pの観測と矛盾しない結果が得られた。},
 title = {Alドープダイヤモンドの物性評価},
 year = {},
 yomi = {ハカマタ, マサキ}
}