@misc{oai:uec.repo.nii.ac.jp:00002121,
 author = {はお, 聞達},
 month = {2016-09-20},
 note = {2012, スズ添加酸化インジウム（Indium Tin Oxide : ITO）透明導電膜は、可視光で80％以上の高い透明度かつ低い抵抗率10-3～10-4[Ω・cm]を持つ材料である。ITOはその特徴から、フラットパネルディスプレイ、太陽電池、そして発光ダイオード（Light Emitting Diode : LED）等の透明電極として幅広く利用されている。従来、本研究室ではスパッタ法で成膜したITO/GaAsの電流電圧特性及び固有接触抵抗の低減化について研究を続けてきた。しかし、スパッタ法は大面積で緻密な膜を作製できる反面、プラズマによる高いエネルギーで粒子を衝突させて膜を作製するために、基板側へのダメージや雰囲気ガス中のO2による基板の劣化が懸念されるという問題がある。本研究では金属酸化物透明導電膜の中でも導電率、透過率の高いITO膜を用いることによってGaAs基盤のp型の片面ではなく、両面にITO薄膜をつけ、光を反射させることにより、高機能化のLEDを狙う。p-GaAs基板では、スプレー法で成膜した場合、as-deposit状態の時、オーミック特性となり、固有接触抵抗3.26×10-4[Ω・cm2] を得た。700℃で20秒間アニールした時、オーミック特性となり、固有接触抵抗1.94×10-4[Ω・cm2] を得た。一方、スパッタ法で成膜した場合、as-deposit状態で、非オーミック特性を得た。700℃で20秒間アニールした時、オーミック特性となり、固有接触抵抗2.47×10-4[Ω・cm2] を得た。n-GaAs基板上に、ITOをスプレー法で成膜した場合とスパッタ法で成膜した場合とを比較すると、スプレー法でas-deposit状態の時、オーミック特性となり、固有接触抵抗1.73×10-3[Ω・cm2] を得た。700℃で20秒間のアニールを行った時、オーミック特性となり、固有接触抵抗1.59×10-3[Ω・cm2]を得た。一方、スパッタ法で成膜した場合、as-depositと700℃で20秒間のアニールを行った時、どちらでも非オーミック特性となった。また、立ち上がり電圧VF については、LED基板上の片面にITOをスプレー法で成膜した場合と両面に成膜した場合とを比較すると、2.7V 以下の低電圧の時はほぼ一致しているが、高電圧になると、ITOを両面につけた試料の電流が片面の場より小さくなる。しかし、裏面で光が反射されることを考慮すると光が両面にITOをつけた試料の方のLEDとして光強度が強くなることも期待される。},
 title = {スプレー法によるITO　LEDの作製},
 year = {},
 yomi = {ハォ, ウェンダ}
}